作者簡(jiǎn)介：
朱晶，研究員，北京國(guó)際工程咨詢有限公司專家咨詢師，主要研究方向?yàn)榧呻娐?、新一代信息技術(shù)、技術(shù)經(jīng)濟(jì)學(xué)。（此文將在2024年7月《中國(guó)集成電路》雜志上刊發(fā)）
摘要
集成電路產(chǎn)業(yè)作為數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的基礎(chǔ)底座技術(shù)，既是大國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略焦點(diǎn)，也是我國(guó)加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力的關(guān)鍵所在。然而面對(duì)外部挑戰(zhàn)，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)一定程度的產(chǎn)業(yè)內(nèi)卷化傾向。規(guī)避產(chǎn)業(yè)內(nèi)卷，是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展必須正視和研究解決的重大問(wèn)題。
引言
當(dāng)前，中國(guó)已進(jìn)入創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)期，新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革正在加速演進(jìn)，集成電路產(chǎn)業(yè)面臨的內(nèi)外部環(huán)境日趨復(fù)雜，盡快突破集成電路領(lǐng)域的“卡脖子”關(guān)鍵核心技術(shù)，加強(qiáng)基礎(chǔ)研究等原始創(chuàng)新能力的提升，這是關(guān)系我國(guó)發(fā)展全局的重大問(wèn)題，也是支撐新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展的關(guān)鍵。然而當(dāng)前我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)仍面臨著技術(shù)的低效創(chuàng)新大量存在、以及低水平投入過(guò)密化、產(chǎn)品盤踞中低端等“內(nèi)卷化”的局面；為此，如果不主動(dòng)破解這種造成大量低效競(jìng)爭(zhēng)的產(chǎn)業(yè)內(nèi)卷，將嚴(yán)重影響我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)打贏關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅(jiān)戰(zhàn)、走向高質(zhì)量發(fā)展之路。
產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”的定義與內(nèi)涵
最早，“內(nèi)卷”作為一種現(xiàn)象，國(guó)外學(xué)者如德國(guó)的康德，美國(guó)的戈登威澤、吉爾茨等分別從哲學(xué)、人類學(xué)、經(jīng)濟(jì)學(xué)等層面給出了不同解讀。另外，國(guó)內(nèi)有關(guān)“內(nèi)卷化”的研究被眾多學(xué)者廣泛集中在精準(zhǔn)扶貧、社區(qū)治理、農(nóng)民工交往、制度變遷、教育發(fā)展等社會(huì)生活領(lǐng)域[1][2]?？傊?，不同領(lǐng)域的學(xué)者將“內(nèi)卷化”發(fā)展作為一個(gè)應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)展的解釋性工具，用來(lái)闡釋廣泛存在的“沒(méi)有發(fā)展的增長(zhǎng)”等現(xiàn)象。
其中，胡振雄[3]首次對(duì)于技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域可能存在的“內(nèi)卷化”現(xiàn)象進(jìn)行闡述，其認(rèn)為：①技術(shù)體系“內(nèi)卷化”的定義是指由于自身資源稟賦以及創(chuàng)新能力的限制，且受外部壁壘的阻隔和排擠，難以實(shí)現(xiàn)對(duì)外擴(kuò)張；②技術(shù)創(chuàng)新“內(nèi)卷化”的內(nèi)涵是指大量創(chuàng)新資源被迫投入到向內(nèi)發(fā)展，持續(xù)進(jìn)行有數(shù)量無(wú)質(zhì)量的低水平再生產(chǎn)導(dǎo)致的一個(gè)無(wú)發(fā)展或少量發(fā)展的過(guò)程。
近年來(lái)，我國(guó)新能源、新一代信息技術(shù)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)也出現(xiàn)了“內(nèi)卷化”的現(xiàn)象。根據(jù)上述“內(nèi)卷化”的相關(guān)研究，我們基本上可以給出“內(nèi)卷化”的基本定義：即指產(chǎn)業(yè)內(nèi)部為爭(zhēng)奪有限資源而最終導(dǎo)致投入與產(chǎn)出嚴(yán)重不成比例，難以使產(chǎn)業(yè)發(fā)展破除壁壘、演進(jìn)到更高形態(tài)，而是低水平的重復(fù)。
毫無(wú)疑問(wèn)，“內(nèi)卷化”是無(wú)序競(jìng)爭(zhēng)，而集成電路產(chǎn)業(yè)是一個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)雜，對(duì)基礎(chǔ)創(chuàng)新要求高、周期長(zhǎng)、風(fēng)險(xiǎn)大的產(chǎn)業(yè)；所以，“內(nèi)卷化”則會(huì)導(dǎo)致企業(yè)陷入價(jià)格戰(zhàn)泥潭，缺乏賴以支持研發(fā)投入的足夠利潤(rùn)，只能進(jìn)行低水平的技術(shù)創(chuàng)新，而屏蔽或放棄具有變革性的技術(shù)創(chuàng)新特別是長(zhǎng)周期的創(chuàng)新，使得產(chǎn)業(yè)總體盈利狀況不佳，全要素生產(chǎn)率不升反降，抑制真正的高質(zhì)量發(fā)展。
我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的“內(nèi)卷化”研究
應(yīng)該看到，隨著我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入換擋提質(zhì)階段，產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”的問(wèn)題日益突出。
2.1 我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中“內(nèi)卷化”情況
當(dāng)前，我國(guó)在集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的幾乎所有環(huán)節(jié)都呈現(xiàn)出不同程度的內(nèi)卷。盡管各細(xì)分領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)不盡相同，但“內(nèi)卷化”比較共性的特征包括產(chǎn)業(yè)發(fā)展“有量無(wú)質(zhì)”，基礎(chǔ)創(chuàng)新“動(dòng)力不足”以及產(chǎn)品供給“結(jié)構(gòu)失衡”等等。
2.1.1設(shè)計(jì)業(yè)內(nèi)卷情況
集成電路設(shè)計(jì)業(yè)主要特點(diǎn)是智力密集、輕資產(chǎn)結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品線覆蓋范圍廣，這些產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)導(dǎo)致設(shè)計(jì)業(yè)的創(chuàng)業(yè)門檻相對(duì)較低，技術(shù)創(chuàng)新擴(kuò)散也相對(duì)容易，因此成為目前“內(nèi)卷化”程度最高的產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。設(shè)計(jì)業(yè)“內(nèi)卷化”主要表現(xiàn)在：
一是競(jìng)爭(zhēng)主體規(guī)模小。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)統(tǒng)計(jì)，截至目前，國(guó)內(nèi)涉及的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)數(shù)量為3451家，超過(guò)55%的企業(yè)銷售收入不足1000萬(wàn)元，超過(guò)80%的企業(yè)是人數(shù)少于100人的小微企業(yè)。
二是低端化競(jìng)爭(zhēng)嚴(yán)重。如表1所示，根據(jù)2023年上半年已經(jīng)上市的108家設(shè)計(jì)企業(yè)的半年報(bào)數(shù)據(jù)，108家企業(yè)中虧損的企業(yè)數(shù)量高達(dá)42家，2022年設(shè)計(jì)領(lǐng)域全部上市企業(yè)的總營(yíng)收和總凈利潤(rùn)分別是美國(guó)上市芯片企業(yè)（設(shè)計(jì)+IDM企業(yè)）的12.7%和5.3%，平均利潤(rùn)率相差近3倍。低利潤(rùn)率的原因在于大量設(shè)計(jì)企業(yè)在產(chǎn)品端缺乏差異化創(chuàng)新，只能進(jìn)行價(jià)格戰(zhàn)，同時(shí)企業(yè)數(shù)量短時(shí)間內(nèi)大量擴(kuò)張引發(fā)人才和供應(yīng)鏈資源的激烈“爭(zhēng)奪”，造成成本的快速上漲。
三是企業(yè)抗風(fēng)險(xiǎn)能力差。我國(guó)設(shè)計(jì)企業(yè)大量涌現(xiàn)于2020年前后，這時(shí)正值產(chǎn)業(yè)處于國(guó)產(chǎn)替代化、市場(chǎng)需求高，以及科創(chuàng)板上市預(yù)期高，加上資本市場(chǎng)關(guān)注度高的“三高”狀態(tài)。但隨著2023年全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期，大量企業(yè)缺乏對(duì)市場(chǎng)周期性變化的應(yīng)對(duì)經(jīng)驗(yàn)，造成高庫(kù)存高負(fù)債引發(fā)的高風(fēng)險(xiǎn)。
2.1.2制造業(yè)內(nèi)卷情況
集成電路制造業(yè)的主要特點(diǎn)是資本和技術(shù)密集、重資產(chǎn)結(jié)構(gòu)。以28納米為分界點(diǎn)，28納米以下的先進(jìn)工藝競(jìng)爭(zhēng)主要由技術(shù)創(chuàng)新和資本投入驅(qū)動(dòng)，而28納米及以上的成熟工藝競(jìng)爭(zhēng)更多由成本控制和運(yùn)營(yíng)能力驅(qū)動(dòng)。制造業(yè)相比其他產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)對(duì)資本的需求更高，這導(dǎo)致制造業(yè)內(nèi)卷是對(duì)資金、人才等資源高度內(nèi)耗的競(jìng)爭(zhēng)，但近年來(lái)由于外部地緣政治導(dǎo)致技術(shù)升級(jí)受阻、國(guó)產(chǎn)替代需求引發(fā)地方政府競(jìng)爭(zhēng)等多種因素影響，制造業(yè)也出現(xiàn)了一定程度的內(nèi)卷。主要表現(xiàn)在：
一是我國(guó)集成電路成熟工藝擴(kuò)產(chǎn)速度和擴(kuò)產(chǎn)主體數(shù)量全球第一。根據(jù)美國(guó)市場(chǎng)機(jī)構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù)，2023-2027年韓國(guó)、日本和美國(guó)三國(guó)12寸成熟工藝代工產(chǎn)能年均復(fù)合增長(zhǎng)率均為負(fù)值或零增長(zhǎng)，幾乎放棄了在成熟工藝產(chǎn)能上的投入，而中國(guó)大陸則是增長(zhǎng)最快（年均復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)8%）的區(qū)域，同時(shí)也是擴(kuò)產(chǎn)主體最多（超過(guò)25家）的區(qū)域。
二是我國(guó)集成電路產(chǎn)能擴(kuò)充集中在90納米-28納米工藝節(jié)點(diǎn)。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2023-2027年我國(guó)90納米-28納米成熟工藝代工產(chǎn)能在全部成熟工藝代工產(chǎn)能中擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模最快，達(dá)到11.1%（見(jiàn)表2）。另外根據(jù)美國(guó)“集微咨詢”數(shù)據(jù)，目前我國(guó)已經(jīng)建成和在建的規(guī)劃產(chǎn)能基本以90納米-28納米成熟工藝為主。2027年，90納米-28納米成熟工藝產(chǎn)能在我國(guó)總產(chǎn)能中占比將達(dá)到57.9%。
三是我國(guó)集成電路成熟工藝平臺(tái)競(jìng)爭(zhēng)力依然不強(qiáng)。盡管我國(guó)大量制造企業(yè)集中在90納米-28納米的產(chǎn)能擴(kuò)充，但是整體在工藝平臺(tái)上的競(jìng)爭(zhēng)力依然不足。例如28納米嵌入式閃存（eFlash）工藝和新一代嵌入式磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器/嵌入式電阻式存儲(chǔ)器（eMRAM/eRRAM）工藝的能力儲(chǔ)備不足，車規(guī)級(jí)工藝無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)智駕芯片實(shí)際需求，高壓雙極型-互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體工藝（BCD）相比韓國(guó)東部高科（DB Hitek）、中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電而言仍不是國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)企業(yè)的首選。
2.1.3支撐業(yè)內(nèi)卷情況
集成電路支撐業(yè)主要包括半導(dǎo)體設(shè)備、材料和零部件產(chǎn)業(yè)，屬于集成電路制造、設(shè)計(jì)和封裝三大主業(yè)的上游供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)，主要特點(diǎn)是尖端技術(shù)密集、多學(xué)科交叉融合、產(chǎn)品碎片化特征明顯、研發(fā)周期長(zhǎng)等。這些產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)其實(shí)不容易引起產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”，尤其是高度碎片化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和尖端技術(shù)的稀缺會(huì)在一定程度上去“內(nèi)卷化”。但隨著我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定體系建設(shè)的推進(jìn)，國(guó)產(chǎn)替代化將越來(lái)越吸引著更多企業(yè)進(jìn)入到這個(gè)領(lǐng)域，也會(huì)在部分領(lǐng)域形成“內(nèi)卷化”的局面。主要體現(xiàn)在：
一是結(jié)構(gòu)性“內(nèi)卷化”為主。集成電路支撐業(yè)的“內(nèi)卷化”集中在熱點(diǎn)品類上，例如硅片長(zhǎng)晶設(shè)備；半導(dǎo)體前道設(shè)備中的濕法、薄膜、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及耗材、熱處理、量檢測(cè)設(shè)備、后道設(shè)備中的ATE、劃片機(jī)等；半導(dǎo)體材料里的大硅片、特氣和化學(xué)品、陶瓷基板等；零部件和子系統(tǒng)中的AMHS（自動(dòng)化物料搬運(yùn)系統(tǒng)）、閥門、泵、硅結(jié)構(gòu)件、EFEM（半導(dǎo)體設(shè)備前端模塊）、石英件等。幾乎每個(gè)領(lǐng)域國(guó)內(nèi)企業(yè)數(shù)量都超過(guò)10家，最多的領(lǐng)域高達(dá)四五十家。而在部分技術(shù)難度較高，國(guó)內(nèi)研發(fā)資源有限，或者國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)優(yōu)勢(shì)已經(jīng)非常明顯的領(lǐng)域，例如涂膠顯影設(shè)備、離子注入設(shè)備、PVD（物理氣相沉積設(shè)備）、靜電吸盤等領(lǐng)域，則鮮少看到“內(nèi)卷化”的發(fā)生。
二是“大廠”強(qiáng)主導(dǎo)的格局加速“內(nèi)卷化”。由于半導(dǎo)體設(shè)備、材料和零部件子系統(tǒng)企業(yè)高度依賴下游制造、封裝、集成設(shè)計(jì)制造（IDM）企業(yè)等“大廠”資源，而“大廠”出于供應(yīng)鏈安全和自身業(yè)務(wù)考慮，對(duì)供應(yīng)鏈企業(yè)有排他性要求，或產(chǎn)品上有一定的特殊性，導(dǎo)致無(wú)法滿足行業(yè)通用需求。這就造成每個(gè)“大廠”都致力于培育自身的供應(yīng)鏈體系，而供應(yīng)鏈企業(yè)也很難將市場(chǎng)規(guī)模做大，變相地加速了行業(yè)整體的“內(nèi)卷化”。
2.1.4化合物半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)卷情況
化合物半導(dǎo)體業(yè)，尤其是碳化硅（SiC）行業(yè)，是近年來(lái)發(fā)展最為快速的非硅基材料行業(yè)。主要特點(diǎn)是IDM模式為主，相比硅基芯片的制造，SiC制造投資規(guī)模不大、投入產(chǎn)出比高、折舊壓力不大，加上新能源汽車、光伏等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展為碳化硅行業(yè)注入了強(qiáng)大的動(dòng)力，因此據(jù)半導(dǎo)體綜研統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，這個(gè)領(lǐng)域快速吸引了全球超過(guò)百家企業(yè)（107家）布局，其中大陸地區(qū)碳化硅器件企業(yè)數(shù)量達(dá)到70家，屬于高度“內(nèi)卷化”的細(xì)分領(lǐng)域。主要體現(xiàn)在：
一是產(chǎn)業(yè)鏈全面“內(nèi)卷化”。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈不復(fù)雜，比較核心的是襯底、外延、器件模組以及針對(duì)碳化硅的一些專用設(shè)備和材料。目前國(guó)內(nèi)在碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈都出現(xiàn)了高度內(nèi)卷的狀態(tài)，據(jù)半導(dǎo)體綜研統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，相對(duì)技術(shù)門檻較高的襯底和SiC MOSFET領(lǐng)域也都集中了40-50家廠商。
二是低端產(chǎn)品同質(zhì)化嚴(yán)重。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈相比集成電路產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)雜度較低，產(chǎn)品更加標(biāo)準(zhǔn)化，因此大量企業(yè)集聚很容易導(dǎo)致中低端產(chǎn)品的同質(zhì)化，當(dāng)前國(guó)內(nèi)在6寸SiC襯底、外延以及SiC SBD領(lǐng)域都因?yàn)槌浞指?jìng)爭(zhēng)而大打價(jià)格戰(zhàn)。例如，根據(jù)集微咨詢數(shù)據(jù)，2023年開(kāi)始由于國(guó)內(nèi)6寸SiC襯底產(chǎn)能大量釋放，國(guó)內(nèi)一線供應(yīng)商已將碳化硅襯底價(jià)格下調(diào)近30%。而國(guó)際6寸碳化硅襯底的價(jià)格一直保持穩(wěn)定，國(guó)際供應(yīng)商的報(bào)價(jià)維持在750~800美元。
2.2 集成電路產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”的原因分析
造成我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”的原因涵蓋國(guó)際地緣政治變化、資本市場(chǎng)推動(dòng)、地方政府競(jìng)爭(zhēng)等多方面原因。
一是資本加速擴(kuò)張導(dǎo)致的同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)。國(guó)際地緣政治變化，加速了國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程；同時(shí)，疊加科創(chuàng)板對(duì)半導(dǎo)體等硬科技的青睞有加，使得從2019年起資本加速擴(kuò)張進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。根據(jù)云岫資本提供數(shù)據(jù)，2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一級(jí)市場(chǎng)股權(quán)投資總額從2019年的約300億元直接飆升5倍達(dá)到1500億元，并且2021年融資規(guī)模超過(guò)5億元的企業(yè)超過(guò)50家。芯片設(shè)計(jì)公司投入成本較小，回報(bào)周期較短，且市場(chǎng)空間大，在行業(yè)高速發(fā)展期天然地受資本歡迎，2020年設(shè)計(jì)企業(yè)被投數(shù)量占全部半導(dǎo)體投資數(shù)量的接近70%。
二是地方政府各自為政引發(fā)的重復(fù)建設(shè)。在我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大潮中，地方政府扮演了重要的角色，尤其是近年來(lái)集成電路的國(guó)家戰(zhàn)略屬性不斷增強(qiáng)，自然成為地方政府布局的重點(diǎn)。尤其是集成電路制造、封裝、化合物半導(dǎo)體等重資產(chǎn)行業(yè)，與地方政府對(duì)“重投資”的偏好高度契合，此外由于考核導(dǎo)向、職責(zé)要求和思維慣性等原因，加之缺乏專業(yè)性的技術(shù)知識(shí)，催化了地方政府盲目跟風(fēng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的沖動(dòng)。隨著越來(lái)越多的地方政府設(shè)立引導(dǎo)基金進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)，出臺(tái)專項(xiàng)招商引資政策，地方政府各自為政帶來(lái)的內(nèi)卷化自然無(wú)法避免[4]。
三是技術(shù)因素決定的被動(dòng)內(nèi)卷。迄今為止，我國(guó)集成電路核心技術(shù)仍受制于人，因此很多企業(yè)不得不戰(zhàn)略性放棄需要長(zhǎng)期投入的技術(shù)創(chuàng)新，轉(zhuǎn)而開(kāi)始橫向競(jìng)爭(zhēng)，而在中低端技術(shù)領(lǐng)域搶占盡可能大的市場(chǎng)份額，成為企業(yè)謀求生存發(fā)展的重要策略。這種放棄“向上逐頂”轉(zhuǎn)而“向下逐底”的競(jìng)爭(zhēng)策略，加速了全行業(yè)的被動(dòng)內(nèi)卷。
四是產(chǎn)業(yè)并購(gòu)整合不力。并購(gòu)重組是推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)提高集中度、去“內(nèi)卷化”較為常見(jiàn)的方式之一。我國(guó)臺(tái)灣的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)、美國(guó)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 （EDA）、圖形處理器（GPU）產(chǎn)業(yè)都曾高度“內(nèi)卷”，但由于有良好健全的并購(gòu)機(jī)制，逐步演進(jìn)迭代形成了當(dāng)前相對(duì)集中的產(chǎn)業(yè)格局。隨著資本市場(chǎng)逐步回歸冷靜，當(dāng)前我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)有望迎來(lái)一波并購(gòu)機(jī)遇，但相較國(guó)外成熟、活躍的并購(gòu)市場(chǎng)，我國(guó)的企業(yè)家、資本市場(chǎng)、中介服務(wù)機(jī)構(gòu)、相關(guān)監(jiān)管機(jī)構(gòu)對(duì)于產(chǎn)業(yè)并購(gòu)的理解和實(shí)踐仍需長(zhǎng)期的學(xué)習(xí)和提高，產(chǎn)業(yè)并購(gòu)機(jī)制不健全、缺乏專業(yè)規(guī)范的中介機(jī)構(gòu)、企業(yè)文化沖突、政府干預(yù)過(guò)多等多方面原因，使得并購(gòu)整合尚未能成為集成電路產(chǎn)業(yè)去“內(nèi)卷化”的主要手段。
我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”的影響分析
集成電路產(chǎn)業(yè)作為數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的基礎(chǔ)底座技術(shù)，既是大國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略焦點(diǎn)，也是我國(guó)加快實(shí)現(xiàn)新時(shí)期經(jīng)濟(jì)“高質(zhì)量發(fā)展”的核心所在。當(dāng)前我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)能級(jí)亟需“向上突破”的關(guān)鍵期，產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”帶來(lái)的大量企業(yè)利潤(rùn)長(zhǎng)期穩(wěn)步不前或下降、產(chǎn)業(yè)要素內(nèi)耗嚴(yán)重、資金投入效率低下等影響，將成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的主要障礙。
一是人才資源內(nèi)耗嚴(yán)重。產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”勢(shì)必會(huì)帶來(lái)嚴(yán)重的人才內(nèi)耗，尤其是對(duì)于制造業(yè)、設(shè)備材料業(yè)這些本就人才總量嚴(yán)重不足，高端人才捉襟見(jiàn)肘的領(lǐng)域傷害更大。近年來(lái)國(guó)內(nèi)的“建廠潮”，導(dǎo)致制造業(yè)人員離職率居高不下，如表5所示，近4年制造業(yè)人員離職率持續(xù)在15%以上，是臺(tái)積電人才流失率的2-3倍。而國(guó)內(nèi)制造業(yè)龍頭中芯國(guó)際在2020年、2021年兩個(gè)“建廠”大年，人員離職率相比國(guó)內(nèi)制造業(yè)平均水平高出5個(gè)百分點(diǎn)。
二是資金投入效率低下。產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”帶來(lái)全行業(yè)資金投入效率下降。對(duì)于企業(yè)而言，為了“卷”而長(zhǎng)期將資金投入到無(wú)需大量創(chuàng)新的成熟技術(shù)代上，無(wú)疑強(qiáng)化了技術(shù)低水平重復(fù)再生產(chǎn)的自我鎖定發(fā)展模式，降低了資金投入的直接效益。對(duì)于產(chǎn)業(yè)而言，大量盤踞在中低端的企業(yè)扎堆進(jìn)入，造成了資金的分散與極大浪費(fèi)。對(duì)于政府而言，部分地區(qū)秉持“你有我也有，你給我也給”原則盲目攀比優(yōu)惠政策，造成嚴(yán)重財(cái)政負(fù)擔(dān)的同時(shí)進(jìn)行低水平重復(fù)建設(shè)[5]。更有部分地區(qū)在盲目投資沖動(dòng)下，出現(xiàn)“百億、千億級(jí)半導(dǎo)體大項(xiàng)目停擺”現(xiàn)象，前期的巨額投入付之東流。
三是陷入中等技術(shù)陷阱。所謂“中等技術(shù)陷阱”指的是核心技術(shù)受制于人，一旦技術(shù)轉(zhuǎn)移的紅利被收割完畢，還未實(shí)現(xiàn)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)水平提升，又不能成功從應(yīng)用性技術(shù)轉(zhuǎn)型為原創(chuàng)性技術(shù)，那么其技術(shù)水平就會(huì)進(jìn)入長(zhǎng)期相對(duì)停滯的狀態(tài)。鑒此，如果產(chǎn)業(yè)持續(xù)“內(nèi)卷化”，則會(huì)使低水平技術(shù)“吞噬”高水平技術(shù)的發(fā)展空間，不僅帶來(lái)高技術(shù)投資擠出效應(yīng)，也會(huì)加劇我國(guó)集成電路技術(shù)高端化躍升的難度，陷入“中等技術(shù)陷阱”。
四是企業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力退化。在高度“內(nèi)卷化”競(jìng)爭(zhēng)中長(zhǎng)大的“卷王”企業(yè)，更加擅長(zhǎng)的是在存量市場(chǎng)里的博弈、拼成本控制、拼效率和服務(wù)，但缺乏對(duì)技術(shù)前瞻性的判斷，對(duì)增量市場(chǎng)的開(kāi)拓，以及富有遠(yuǎn)見(jiàn)的戰(zhàn)略能力。長(zhǎng)期被“內(nèi)卷化”的發(fā)展邏輯綁架，會(huì)使企業(yè)產(chǎn)生更強(qiáng)的路徑依賴，不能長(zhǎng)足有效地推進(jìn)自主創(chuàng)新能力的培育和積累，沒(méi)有能力躍遷至更高層次的發(fā)展形態(tài)。當(dāng)前我國(guó)集成電路領(lǐng)域鮮少有具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的跨國(guó)企業(yè)，全球市場(chǎng)不等于中國(guó)市場(chǎng)的自然延展，如果“內(nèi)卷化”的發(fā)展態(tài)勢(shì)不作出改變，在中國(guó)市場(chǎng)“卷”出來(lái)的企業(yè)，未必能在全球市場(chǎng)上獲得認(rèn)可。
五是產(chǎn)業(yè)發(fā)展“浮躁化”。當(dāng)前我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)面臨的環(huán)境仍是戰(zhàn)略機(jī)遇和風(fēng)險(xiǎn)挑戰(zhàn)并存，一旦滑向過(guò)度競(jìng)爭(zhēng)和“內(nèi)卷化”，相伴而生的更多是對(duì)“十年磨一劍”的技術(shù)攻關(guān)沒(méi)有耐心、過(guò)于片面地追求短平快、心態(tài)浮躁等問(wèn)題，很多長(zhǎng)期承擔(dān)國(guó)家重點(diǎn)攻關(guān)和基礎(chǔ)研究的機(jī)構(gòu)、企業(yè)和人才，也被內(nèi)卷引發(fā)的功利化傾向影響，無(wú)法支撐我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)真正走上創(chuàng)新與高水平發(fā)展的嶄新道路。
我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)去“內(nèi)卷化”的應(yīng)對(duì)建議
“內(nèi)卷化”已經(jīng)成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的主要障礙，破解產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷化”，需要國(guó)家抓“內(nèi)核”、地方破“內(nèi)耗”、企業(yè)強(qiáng)“內(nèi)功”。主要應(yīng)對(duì)建議包括：
一是切實(shí)加大對(duì)集成電路企業(yè)高質(zhì)量基礎(chǔ)研究的支持。當(dāng)前我國(guó)集成電路發(fā)展環(huán)境正在快速變化，同時(shí)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展階段向基礎(chǔ)創(chuàng)新延伸，兩者的變化都對(duì)基礎(chǔ)研究提出了更多需求，需要在政策層面主動(dòng)應(yīng)變，適當(dāng)提高對(duì)企業(yè)開(kāi)展基礎(chǔ)研究創(chuàng)新的支持力度，始終將創(chuàng)新的質(zhì)量放在第一位，有效發(fā)揮財(cái)政資金的引導(dǎo)作用，以基礎(chǔ)研究能力的提升破除集成電路產(chǎn)業(yè)的“內(nèi)卷化”，避免將有限的資金用于低水平技術(shù)的數(shù)量擴(kuò)張。
二是憑借我國(guó)的制度優(yōu)勢(shì)，加強(qiáng)對(duì)地方項(xiàng)目投資的有序引導(dǎo)。引導(dǎo)地方政府進(jìn)行集成電路產(chǎn)業(yè)差異化布局，加快建立產(chǎn)業(yè)投資監(jiān)控機(jī)制以遏制地方政府投資沖動(dòng)，加快探索建立健全決策失誤責(zé)任追究制度，加大針對(duì)搞重復(fù)建設(shè)、虛假項(xiàng)目等違規(guī)招商行為的責(zé)任追究和懲戒力度。對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備、材料和零部件等供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)的項(xiàng)目啟動(dòng)“窗口”指導(dǎo)，遏制一窩蜂盲目上馬項(xiàng)目的投資沖動(dòng)。
三是完善健全符合集成電路產(chǎn)業(yè)特點(diǎn)的并購(gòu)機(jī)制。建議抓緊研究促進(jìn)集成電路企業(yè)兼并重組的指導(dǎo)意見(jiàn)，完善集成電路企業(yè)兼并重組的相關(guān)稅收政策、跨境換股相關(guān)政策等，推進(jìn)完善集成電路企業(yè)資產(chǎn)評(píng)估指引。針對(duì)集成電路標(biāo)的估值較高，收購(gòu)方資金不足的問(wèn)題，研究擴(kuò)大并購(gòu)貸款的覆蓋面、推出并購(gòu)重組專項(xiàng)政府補(bǔ)貼。加強(qiáng)對(duì)專業(yè)的、一流的并購(gòu)機(jī)構(gòu)的培育，深化對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)并購(gòu)規(guī)律的理解，進(jìn)一步助力集成電路企業(yè)按照市場(chǎng)化原則進(jìn)行重組并購(gòu)。
四是加快實(shí)施更具針對(duì)性的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)。引導(dǎo)集成電路企業(yè)增強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)用和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)意識(shí)，根據(jù)競(jìng)爭(zhēng)需要構(gòu)建關(guān)鍵核心技術(shù)的“專利池”，加大對(duì)商業(yè)秘密、技術(shù)秘密的保護(hù)力度，優(yōu)化企業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)布局，加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)儲(chǔ)備。
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